Железо / 237100

получить пропуск на мкад по удобной стоимости от востребованной фирмы
Железо / Телефоны / Раздел 3 / Защита и доработка ТА / Защита микросхемы номеронабирателя

Защита микросхемы номеронабирателя

Самым слабым местом в ИС является выход импульсного ключа. Для ИС ЭНН пробой внутреннего полевого транзистора импульсного ключа с открытым стоком наступает при напряжении свыше 30 В. Естественно, напрашивается простейший способ защиты - ограничить напряжение, которое может появиться на выходе ИК ИС при пробое транзисторов ИК ТА или снятии трубки во время звонка.

Для этого между нулевой шиной и выходом ИК ИС включается быстродействующий стабилитрон с напряжением стабилизации 13 - 15 В (рис. 7.1). Но этот способ защиты не дает гарантии полной защиты, поскольку при пробитом коллекторном переходе транзистора VT1 импульсного ключа ТА (рис.6.1,а и 6.1,б)и попытке набора номера, через открытый выход ИК ИС пойдет весь ток линии, что моментально приведет к выходу из строя микросхемы номеронабирателя.

Гарантированную защиту выхода ИК ИС обеспечивает применение дополнительного транзистора, включенного по схеме, приведенной на рис. 7.2. -десь транзистор VT1 включен по схеме эмиттерного повторителя. Когда выход ИК микросхемы ЭНН находится в высокоимпедансном состоянии, то переход эмиттер - коллектор транзистора VT1 закрыт. При наборе номера выход ИК ИС подключается к обшей шине. Ток, протекающий через резистор R1 (рис. 6.1,а и 6.1,6) и переход база-эмиттер защитного транзистора VT1, открывает его и подключает вход ИК ТА на землю. Импульсный ключ ТА закрывается.

Если к эмиттеру транзистора VT1 (рис. 7.2) по любой причине будет приложен высокий потенциал, то при появлении малейшего тока в цепи: эмиттер-база транзистора VT1 - выход ИК ИС - корпус, транзистор VT1 открывается и весь ток проходит через него. Это исключает выход из строя микросхемы номеронабирателя.

Наиболее опытные радиолюбители могут возразить, что защитный транзистор следует подключать так, как показано на рис. 7.3. Однако продолжительная практика использования схемы, приведённой на рис. 7.2, показала ее

полную надёжность.

Такой способ защиты весьма эффективен и позволяет снимать трубку даже во время междугородного звонка, если, конечно, защищены транзисторы ИК. Междугородный звонок при отсутствии описанной защиты наиболее опасен для ТА из-за повышенной частоты следования посылок вызывного сигнала, что повышает вероятность снятия трубки во время звонка.

Для ИС с логическим выходом ИК перечисленные способы не пригодны, так как напряжение выхода ИК ИС не превышает напряжение питания ИС. В этом случае выход ИК ИС следует включить через диод, как показано на рис. 7.4. Для обеспечения надежного запирания транзистора VT1 при напряжении низкого уровня на выходе ИК ИС с его базы на корпус необходимо включить резистор R2 сопротивлением 100 - 300 кОм. Резистор R1

Защита микросхемы номеронабирателя 7-11.jpg

Защита микросхемы номеронабирателя 7-12.jpg

Защита микросхемы номеронабирателя 7-13.jpg

Защита микросхемы номеронабирателя 7-14.jpg

должен присутствовать на плате телефона. Его сопротивление может находиться в довольно широких пределах.

Микросхему номеронабирателя с встроенным источником опорного напряжения можно защитить и по цепи питания. Для этого необходимо с входа питания ИС на корпус включить стабилитрон с напряжением стабилизации 4,7 - 5,6 В (КС147А.Г; КС156А.Г и т. п.). Но в этом, как правило, нет необходимости. При надежно защищенном выходе ИК микросхемы номеронабирателей практически не

выходят из строя по питанию благодаря внутренней защите.

Железо / Телефоны / Раздел 3 / Защита и доработка ТА / Защита микросхемы номеронабирателя