Железо / 236200

Железо / Телефоны / Раздел 3 / Ремонт телефонных аппаратов / Замена микросхемы номеронабирателя

Замена микросхемы номеронабирателя

Вы убедились, что микросхема вышла из строя, и перед Вами встает вопрос "чем ее заменить?". Промышленность стран СНГ производит широкий ассортимент микросхем номеронабирателей. Большинство из них имеют зарубежные аналоги. Их цоколёвки приведены на рис. 2.10 -2.12, а характеристики в табл. 2.7 и 2.8. В большинстве случаев Вы сможете подобрать подходящий аналог для замены вышедшей из стоя микросхемы. Кроме того, многие микросхемы условно взаимозаменяемы, т.е. заменяемы с небольшими доработками.

Возможность такой замены и необходимые изменения приведены в таблице 6.2.

Табл. 6.2. Возможная замена ИС ЭНН при ремонте и необходимые изменения при замене.

-аменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK60992N Т40992 КР1008ВЖ11

KS6805B LR40993 МК50993 Т40993

1. Поскольку в ИС возможной замены отсутствует внутренний источник опорного напряжения, то необходимо между выводом питания (1) и корпусом (вывод 6) установить стабилитрон с напряжением стабилизации 3 - 4 В (КС133Г, КС139А(Г) и т. п.).

2. Вывод 2 отключить от всех цепей схемы.


-аменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10

3. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.

CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14

4. Микросхемы возможной замены имеют 16 выводов и в целом, если считать от первого вывода их цоколёвка совпадает с цоколёвкой заменяемых микросхем. Для замены необходимо установить микросхему таким образом, чтобы первый вывод ИС совпадал с контактной площадкой первого вывода выпаянной ИС. 5. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить перемычкой с контактной площадкой вывода 9.

ЕТ40982 HD970040D KS6804 LR40981A MK6173AN МК50981 TB60981AN

Выполнить пункт 4. 6. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить с плюсом питания микросхемы (вывод 1). 7. Выпаять резистор, подключенный к контактной площадке 7 и конденсатор, подключенный к контактной площадке 8. 8. От контактных площадок 7 и 8 на место выпаянных резистора и конденсатора установить конденсаторы ёмкостью по 100 пФ каждый. Противоположные выводы конденсаторов соединить с корпусной шиной (вывод 6). Между выводами 7 и 8 установить дроссель индуктивностью 1,7 мГн. Вместо дросселя можно использовать кварц частотой 480 кГц.

KS58C05

ЕТ40992 НМ9100А1 KS6805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11

Микросхемы, заменяются без каких-либо изменений в схеме. Обратную замену производить нельзя.

FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10

Выполнить пункт 3.

CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14

ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN

Выполнить пункты 4 и 5. Выполнить пункт 4,6,7 и 8.


-аменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

KS6805B LR40993 МК50993 Т40993

ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11

Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены не будет, выполняться функция звукового подтверждения нажатия кнопок набора номера, которая в микросхемах возможной замены отсутствует.

FT58C51 KS6861 КР1008ВЖ10

Выполнить пункт 3.

CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14

Выполнить пункты 4 и 5.

ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК60981 TR50981AN

Выполнить пункт 4,6, 7 и 8.

FT58C51 KS5861 КР1008ВЖ10

ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11

9. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.

KS5805B

Выполнить пункты 9, 1 и 2.

CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14

Выполнить пункты 9,4 и 5.

ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN

Выполнить пункты 4,6,7 и 8.

CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14

ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11

10. -аменяемые микросхемы имеют 16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. Снимите перемычки между контактными площадками 9 и 11 на плате ТА и установите перемычки с контактных площадок 10 и 11 на корпусную шину (вывод 6).

KS5805B LR40993 МК50993 Т40993

Выполнить пункты 10, 1 и 2.

FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10

Выполнить пункты 10 и 3.


-аменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN

11. Удалить резисторы, подключенные к выводам 7 и 9, и конденсатор,. подключенный к выводу 8. Вывод 9 соединить с плюсом питания ИС (вывод 1). Выполнить пункт 8.

ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN

CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14

12. Отсоединить контактную площадку вывода 9 заменяемой микросхемы от плюса питания ИС. 13. Удалить конденсаторы и дроссель, подключенные к контактным площадкам 7 и 8. С вывода 7 на место конденсатора установить резистор сопротивлением 2 МОм. С вывода 8 на место второго конденсатора установить конденсатор ёмкостью 390 пф. 14. От вывода 9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением 240 кОм.

15. Общую точку этих трёх элементов отсоединить от корпусной шины.

ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11

-аменяемые микросхемы имеют 16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. 16. Отсоединить контактную площадку 11 (вывод 9 заменяемой микросхемы) от плюса питания ИС. Контактные площадки 10 и 11 соединить с корпусной шиной микросхемы (вывод 6). Выполнить пункты 13, 14 и 15.

FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10

Выполнить пункты 16 и 13.

17. От вывода 9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением 430 кОм. Выполнить пункт 15.

KS5805B LR40993 МК50993 Т40993

Выполнить пункты 16, 13, 14 и 15.

KS5853

НМ9100В

18. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.

НМ9100В

KS5853

19. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.


-аменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

LC7350 М2561АВ UM91611 VT91611 WE9110 STC62660C S26610

UM91610A

20. Отсоединить вывод 15 микросхемы от всех других цепей схемы.

UM91610A

LC7360 М2661АВ UM91611 VT91611 WE9110 STC52660C S25610

21. Соединить вывод 15 микросхемы с корпусной шиной (вывод 10).

КР1008ВЖ1

КР1008ВЖ6 КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ5 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ1 КР1089ВЖ2

22. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в три раза. Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы и соединить с корпусной шиной (вывод 17). Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 15. При замене микросхемы КР1008ВЖ1 на КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 Ваш телефон будет, обладать дополнительной памятью на 10 номеров.

КР1008ВЖ5 КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ5 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ1 КР1089ВЖ2

КР1008ВЖ1

23. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в три раза. Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и соединить с плюсом питания (вывод 3). Вывод 16 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 6. При замене ИС КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 на КР1008ВЖ1 Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.

КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2

КР1008ВЖ6 КР1064ВЖ6 КР1089ВЖ1

Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены. Ваш телефон будет обладать дополнительной памятью на 10 номеров.

КР1008ВЖ5 КР1084ВЖ5 КР1089ВЖ1

КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2

Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.


-аменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

НМ9102 HM9110D KS68006 KS6820 KS68C20N UM91210C КР1008ВЖ16

UM91260C КР1091ВЖ1

24. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к выводам 8 и 9 на частоту 480 кГц.

UM91260C КР1091ВЖ1

НМ9102 HM9110D KS68006 KS5820 KS68C20N UM91210C КР1008ВЖ16

25. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к выводам 8 и 9, на частоту 3,58 МГц.


Но что же делать, если Вам так и не удалось найти подходящую микросхему номеронабирателя для замены?

В этом случае Вам поможет универсальная схема, при помощи которой Вы сможете заменить большинство зарубежных ИС ЭНН.

Наибольшее распространение получили ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7. Эти микросхемы выпускаются уже около 10 лет и наиболее доступны. Поэтому рассмотрим возможность замены большинства зарубежных ИС ЭНН именно этими микросхемами.

У всех ИС ЭНН имеются такие выводы, как:

- выводы подключения клавиатуры (Х0, X1, Х2, Y0, Yl, Y2 и Y3);

- вывод питания (U);

- общий вывод (OV);

- вход "отбой" (HS);

- выводы для подключения времязадающих элементов генератора;

- выход импульсного ключа (NSI);

- выход разговорного ключа (NSA).

Различные ИС ЭНН отличаются только логикой работы выходов ИК (NSI) и РК (NSA) и параметрами времязадающих элементов генератора (здесь мы не рассматриваем многофункциональные ИС для телефонов высокого класса). Функционирование по остальным выводам у всех ИС ЭНН одинаково. Во многих зарубежных телефонах выход разговорного ключа микросхемы не задействован. Поэтому если при помощи внешних элементов привести в соответствие выход импульсного ключа микросхемы, то можно заменить неисправную микросхему, подключив соответствующие выводы к контактным площадкам выпаянной микросхемы.

Если сравнивать временные диаграммы выходов разговорного ключа (NSA) (рис. 2.19 - 2.21) ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ6 и КР1008ВЖ7 с другими ИС ЭНН, то нетрудно заметить, что до набора и после набора номера у всех микросхем (кроме CIC9102E, CIC9104E, FT9151-3, UM9151, UM9151-3, WE9102, WE9104 и КР1008ВЖ17) "высокий" уровень. Во время прохождения импульсов набора - "низкий". Следовательно, логика работы выходов разговорного ключа у этих микросхем одинакова. У выходов импульсного ключа (NSI) до набора и после набора номера у микросхем КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 - "низкий" уровень, а у остальных микросхем - "высокий". Это отличие обусловлено тем, что микросхемы КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и

Замена микросхемы номеронабирателя 6-21.jpg

КР1008ВЖ7 предназначены для работы только совместно с разговорным ключом. "Низкий" уровень удерживает ИК ТА в закрытом состоянии и он не может использоваться для коммутации разговорного узла, как в схеме на рис. 1.15. Импульсы набора все микросхемы номеронабирателей формируют "низкого" уровня, т. е. "низкий" уровень выхода микросхемы во время набора номера размыкает линию, а "высокий" - замыкает.

Для замены импортной ИС на КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 или КР1008ВЖ7 необходимо при помощи дополнительных элементов привести в соответствие временные параметры сигналов, формируемых на выходах ИК и РК, заменяемой и заменяющей микросхем. Кроме того, в зависимости от типа выхода ИК (логический или с открытым стоком) заменяемой микросхемы необходимо обеспечить его согласование со входом импульсного ключа ТА.

Временные параметры приводятся в соответствие посредством двух диодов, включаемых с выходов ИК (NSI) и РК (NSA2) микросхемы КР1008ВЖ1 по схеме "ИЛИ", как показано на рис. 6.2. В результате, на выходе (в точке соединения диодов VD1 и VD2), формируется сигнал с временными параметрами, соответствующими параметрам выходных сигналов ИК импортных микросхем.

Замена микросхемы номеронабирателя 6-22.jpg

Эту схему можно применять для замены микросхем номеронабирателя с логическим выходом импульсного ключа, так как в точке соединения диодов VD1 и VD2 формируется сигнал с уровнем, соответствующим логическому выходу ИС КР1008ВЖ1. В схеме, при необходимости, можно задействовать выход разговорного ключа (NSA) (вывод 18).

Аналогичная схема на ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 приведена на рис. 6.3.

На рис. 6.4 приведена схема замены импортной ИС с открытым стоком выхода ИК. Диоды VD1 и VD2 формируют соответствующую импульсную последовательность, а транзисторы VT1 и VT2, образуя выход с открытым коллектором, моделируют выход ИК ИС с открытым стоком.

Выводы микросхемы Х0, X1, Х2, Y0, Yl, Y2. Y3, 0V, U, HS и NSI подключаются на соответствующие контактные площадки заменяемой ИС. Вывод SB подключается к выводу микропереключателя со стороны транзисторов импульсного ключа (точка КТ1 на рис. 6.1).

Для замены импортной микросхемы на отечественную КР1008ВЖ1 можно изготовить переходную плату, разместив на ней необходимые дополнительные элементы. На рис. 6.5 показав чертеж переходной платы для схемы, приведенной на рис. 6.4. Форма и размеры переходной платы выбраны с учётом размещения её в телефон-трубке между основной платой и динамической головкой.

Контактные площадки переходной платы (в рамке на рис. 6.5) и-контактные площадки заменяемой ИС на основной плате телефона соединяются между

собой жгутом из тонких проводов. Схемы соединения контактных площадок переходной платы с контактными площадками основной платы, из которой выпаяна ИС ЭНН, для различных типов ИС различны и приведены в таблице 6.3. В ячейках таблицы показаны номера выводов контактных площадок заменяемой микросхемы на основной плате телефона. Расположение самих ячеек соответствует расположению контактных площадок на переходной плате. Например, для микросхемы KS5805A

контактную площадку Y0, которая расположена рядом с выводом 22 ИС КР1008ВЖ1, необходимо соединить с контактной площадкой от вывода 16 микросхемы KS5805A на основной плате.

Для того чтобы в телефоне работал повтор последнего набранного номера, необходимо внести изменения на плате наборного поля. Нужно разорвать дорожку, которая идет от контактной площадки Х2 к кнопке "#", и соединить разорванный конец дорожки от этой кнопки к контактной площадке Х0. В телефонах-трубках, если принять контактную площадку, расположенную ближе к динамической головке за первую, то контактная площадка Х0 - третья, а Х2 - седьмая.

Если все соединения сделаны правильно, а номер не набирается, следует проверить напряжение на стабилитроне переходной платы. При пониженном его значении (менее 2,0 В) необходимо увеличить ток через стабилитрон при помощи резистора в цепи питания микросхемы (раздел 3.3). При замене микросхем CIC9102E, CIC9104E, KS5805B, LR40993, МК50993, Т40983, UM9151, UM9151-3, WE9102 и WE9104 стабилитрон VD1 может не понадобится, так как он должен иметься на основной плате телефона.

Замена микросхемы номеронабирателя 6-23.jpg

Замена микросхемы номеронабирателя 6-24.jpg

Табл. 6.3. Соответствие контактных площадок переходной платы с контактными площадками заменяемой микросхемы.

Соответствие контактных площадок переходной платы контактным

площадкам заменяемой микросхемы:

ЕТ40992

CIC9192BE

НМ9100В

CIC9104E

CIC9102E

НМ9100А1

ЕТ40982

KS5853

UM9151-3

UM9151

KS6805A

HD970040D

WE9104

WE9102

KS6805B

KS5804

KS58C05

LR40981A

KS5851

MK5173AN

LR40992

МК50981

LR40993

TR50981AN

MK50992N

WE9192B

МК50993

T40992

Т40993

4

5

16

4

5

14

3

4

14

15

16

1

16

17

18

3

18

17

3

16

15

2

16

15

14

9

11

15

9

12

6

1

13

6

1

11

5

1

11

12

5

4

10

5

4

SB

15

14

SB

13

12

SB

13

12

SB

2

3

SB

2

3


Второй вариант замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК показан на рис. 6.6. В этом случае необходимо добавить ключ на полевом n-канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным затвором КР1014КТ1А,(В), подключив его параллельно выходу диодного моста. Особенность схемы состоит в том, что импульсный ключ ТА используется как разговорный ключ, а набор номера осуществляется токовым ключом на КР1014КТ1А,(В). Если в ТА присутствует разговорный ключ, то вывод 18 ИС КР1008ВЖ5,(7) необходимо подключить на него, а импульсный ключ ТА отключить (вместо него будет работать токовый ключ на КР1014КТ1А,(В).

Импульсы, управляющие работой ключа, подаются на затвор токового ключа с выхода ИК ИС и полностью соответствуют требованиям технических условий для отечественных телефонных сетей, так как ИС КР1014КТ1А,(В) в режиме насыщения имеет сопротивление менее 50 Ом.

Замена микросхемы номеронабирателя 6-25.jpg

Железо / Телефоны / Раздел 3 / Ремонт телефонных аппаратов / Замена микросхемы номеронабирателя