Железо / 232050

Железо / Телефоны / Раздел 3 / Разновидности и характеристики отечественных и зарубежных ИС ЭНН / Характеристики микросхем электронного набора номера

Характеристики микросхем электронного набора номера

В таблицах 2.7 и 2.8 приведены основные параметры ряда зарубежных и отечественных микросхем ЭНН, наиболее часто применяемых в ТА.

Сокращения принятые в таблицах:

Uик. защ. - предельное напряжение внутреннего защитного стабилитрона ИС, установленного на выходе ИК (прочерк означает отсутствие защиты).

Iвн. cm. - ток внутреннего источника опорного напряжения питания ИС, равного 3 В. Максимальный ток стабилитрона - 7 - 10 мА. При этом токе напряжение на стабилитроне может достигать 5,5 В (прочерк означает отсутствие внутреннего стабилитрона).

Icmam. - ток, потребляемый микросхемой в статическом режиме.

Iдин. - ток, потребляемый микросхемой в динамическом режиме (во время набора номера).

Напряжение питания практически всех ИС ЭНН составляет 2,6 - 5,5 В. Параметры Icmam. и 1дин.. даны для U - 3 В, ненагруженных выходах ИС и отключенном общем выводе внутреннего источника опорного напряжения, если он имеется. -наком "*" помечены те параметры, которые даны для U - 5 В.

О-У, знаков - количество знаков последнего набранного номера, которое может быть сохранено.

Доп. О-У - для ИС, имеющих дополнительную память. Количество номеров, которое может быть сохранено и вызвано посредством функциональных клавиш (прочерк означает отсутствие дополнительной памяти). Количество знаков в номере, как правило, не соответствует количеству знаков, запоминаемых в последнем набранном номере. В большинстве ИС ЭНН количество знаков номера в дополнительной памяти не превышает 16.

Тип выхода - схемотехническое решение организации выхода импульсного (ИК) и разговорного (РК) ключей.

ОС - выход с открытым стоком (рис. 2.1,о).

Л - логический выход (рис. 2.1, в).

Л1 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.21, ИС КР1008ВЖ10).

Л2 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на период набора одного знака (пример - рис. 2.20 ИС КР1008ВЖ12).

Л- - логический выход РК, формирующий высокий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.19 ИС КР1008ВЖ17).

M/S - значение импульсного коэффициента в зависимости от логического состояния входа M/S ("0" или "1").

IPS - значение длительности межсерийной паузы в мс в зависимости от логического состояния входа IPS.

DRS - значение частоты набора в Гц в зависимости от логического состояния входа DRS.

MODE - режим работы микросхемы "Р"- импульсный, "Т"- частотный, в зависимости от логического состояния на входе.

Если в графе "выходные параметры ИК при логическом состоянии входов" приведено одно значение, то в этой ИС отсутствует вход управления данным параметром и он в микросхеме жестко определен (прочерк означает отсутствие данного режима).

На рис. 2.10 + 2.13 приведены цоколёвки микросхем как зарубежного, так и отечественного производства.

На рис. 2.18 приведены схемы подключения времязадающих элементов генератора ИС ЭНН. Кварцевый резонатор на частоту 3,579545 МГц, который используется в большинстве зарубежных ИС ЭНН, применяется в декодерах цветных телевизоров системы NTSI, вследствие чего получил большое распространение и является самым недорогим из стандартных кварцевых резонаторов.

На рис. 2.19 - 2.21 приведены временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей микросхем ЭНН. Различия выходных сигналов определяются отнюдь не страной - производителем, а принципом построения ИС для ее использованием в той или иной схеме.

Табл. 2.7. Характеристики микросхем номеронабирателей.

Тип ИС

Номер рис.

Номер рис. гев-ра

Кол-во выводов

Uик защ. В

Iвн.cm., мА

Icmаm. мкА

Iдин. мкА

При U = 3 В

CIC9102E

2.10,в

2.18,р

18

7,5

-

12

12

CIC9104E

2.10,е

2.18.р

16

7,5

-

12

12

CIC9145E

2.13,6

2.18.л

22

-

-

0,2*

600*

CIC9192BE

2.10,г

2.18,а

16

25

0,12

25

40

ЕТ40982

2.10,д

2.18,з,и

16

22

0,8

40

110

ЕТ40992

2.10,а

2.18,0

18

22

0,8

25

40

FT58C51

2.10,а

2.18,6

18

17

0,7

0,1

19

HD970040D

2.10,д

2.18,з,и

16

22

0,8

35

100

HD970019-L

2.10,з

2.1S.M

16

-

-

45

550

НМ9100А1

2.10,0

2.18,0

18

25

0,6

15

35

НМ9100В

2.10,ж

2.18,в

16

28

-

15

35

НМ9102

2.11,а

2.18,н

18

-

-

10

300

HM9110D

2.11,0

2.18.н

18

-

-

15

350

НМ9112А

2.13,6

2.18,л

22

-

-

0,2*

600*

НМ9113А

2.13,6

2.18.л

22

-

-

0,2*

600*

НМ9121

2.13,а

2.18,n

28

-

-

10

400

НМ91650В

2.13,e

2.l8,м

22

-

-

0,4*

1200*

НМ9187

2.10.з

2.18,м

16

-

-

0,5

600

HT9102F

2.11,е

2.18,л

18

-

-

0,5

400

НТ9115В

2.13,e

2.18,м

22

-

-

0,4*

1200*

KS5804

2.10,з

2.l8,u

16

22

0,8

20

100

KS5805A

2.10,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

KS5806B

2.10,б

2.18,б

18

30

-

0,5

20

KS58C05

2.10,а

2.18,а

18

3,6

0.7

0,5

20

KS58006

2.11,а

2.18.н

18

-

-

10

100

KS5820

2.11,а

2.18,н

18

-

-

0,5

200

KS58C20N

2.11,а

2.18,н

18

-

-

0,5

200

KS5851

2.10,а

2.18,б

18

17

0,7

0,1

20

KS5853

2.10,ж

2.18,г

16

28

-

0,2

20

LC7350

2.11,б

2.18,н

18

-

-

3

100

LR40981A

2.10.д

2.18,з,и

16

25

0,7

50

90

LR40992

2.11,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

LR40993

2.10,б

2.18,а

18

30

-

0,5

20

М2561АВ

2.11,б

2.18,г

18

-

-

3

105

МС145412Р

2.11,д

2.18,м

18

-

-

5

120

МК50981

2.10,д

2.18,з,к

16

22

0,7

30

100

MK5092N

2.10,3

2.18,м

16

-

-

45

550

MK50992N

2.10,а

2.18,о

18

30

0,5

20

35

МК50993

2.10,6

2.18,о

18

30

-

0,5

20

MK5173AN

2.10,9

2.18,з.и

18

22

0,8

40

100


ТипИС

Номер рис.

Номер рис. ген-pa

Кол-во

ВЫВОДОВ

Uик защ. В

Iвн.ст. мA

Icmam. мкА

1дин. мкА

При U = 3 В

S2560A

2.11,6

2.18,г

18

-

-

0.3

300

825810

2.11,6

2.18,г

18

-

-

0,3

300

87210А

2.10,u

2.18,л

16

-

-

3

80

STC52560C

2.11,б

2.18,г

18

-

-

0,2

200

Т40992

2.10,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

Т40993

2.10,6

2.18,а

18

30

-

0,5

20

ТС31006Р

2.11,г

2.18.к

18

-

-

170

170

TR50981AN

2.10,д

2.18.з.u

16

22

0,8

40

110

UM91210C

2.11,а

2.18.к

18

-

-

0,2

190

UM91260C

2.11,а

2.18,к

18

15

-

60

180

UM9151

2.10,в

2.18,р

18

7,5

-

12

12

UM9151-3

2.10,е

2.18,р

16

7,5

-

12

12

UM91610A

2.11,в

2.18,в

18

-

-

3

90

UM91611

2.11,6

2.18,г

18

-

-

3

105

VT91611

2.11,6

2.18,г

18

-

-

3

105

VT9145

2.13,6

2.18,л

22

-

0,2*

500*

W9145

2.13,6

2.18,л

22

-

-

0,2*

600*

WE9102

2.10,e

2.18,р

18

7,5

-

12

12

WE9104

2.10,е

2.18,р

18

7,5

-

12

12

WE9110

2.11,6

2.18,г

18

-

-

3

95

WE9192B

2.10,г

2.18,а

16

25

0,12

25

40

К145ИК8П

2.12,6

4.2

40

-

-

150*

300*

КР1002ХЛ2

2.12,ж

2.18.с

16

-

-

0,5

10

КР1008ВЖ1

2.11,ж

2.18,m,y

22

-

-

3

50

КР1008ВЖ2

2.12,а

2.18,ж

48

-

-

25

60

КР1008ВЖ5

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КР1008ВЖ6

2.11.u

2.18,о

22

-

-

30

100

КРЮ08ВЖ7

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КР1008ВЖ10

2.10,а

2.18,6

18

17

0,7

0,1

20

КР1008ВЖ11

2.10,а

2.18,а

18

30

0,5

20

35

КС1008ВЖ12

2.12,г

2.18,з

18

-

-

60

175

КР1008ВЖ14

2.10,г

2.18,а

16

25

0,12

2S

40

КР1008ВЖ15

2.12,е

2.18,а

16

25

0,12

25

40

КР1008ВЖ16

2.11,а

2.18.н

18

-

-

10

100

КР1008ВЖ17

2.10,е

2.18,р

16

7,5

-

12

12

КР1064ВЖ5

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КР1064ВЖ7

2.11,з

2.18,е

22

-

-

2

15

КРЮ83ВЖ-

2.12,д

2.18,m,y

20

-

-

3

50

КР1089ВЖ1

2.12,в

2.18,e

24

-

-

2

20

КР1089ВЖ2

2.12,в

2.18,е

24

-

-

2

20

КР1091ВЖ1

2.11,а

2.18,к

18

15

-

60

180


Табл. 2.8. Характеристики микросхем номеронабирателей.

ТипИС

О-У знаков

Доп. О-У номе

Тип

 

выхо-

да

Выходные параметры ИК ИС при логическом состоянии входов

M/S

IPS

DRS

MODE

ров

ИК

РК

0

1

0

1

0

1

0

1

CIC9102E

22

-

ОС

Л3

1,5

2,0

800

400

10

Р

CIC9104E

22

-

ос

Л3

1,6

2,0

800

10

Р

CIC9145E

31

14

л

Л2

2,0

1,5

800

10

Т

Р

CIC9192BE

17

-

ос

ос

1.6

800

10

Р

ЕТ40982

17

-

ос

ос

2,0

1.5

820

10

Р

ЕТ40992

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

FT58C51

32

-

ос

ос

1.5

2,0

800

10

20

Р

HD970040D

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

HD970019-L

22

-

л

л

-

-

-

Т

НМ9100А1

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

НМ9100В

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

Р

НМ9102

22

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

т

Р

HM9110D

22

-

ос

ос

1,6

2,0

800

10

т

Р

НМ9112А

31

13

л

Л2

2,0

1,5

800

10

т

Р

НМ9113А

31

13

л

Л2

2,0

1,5

800

10

т

Р

НМ9121

22

20

л

Л2

1,5

2,0

800

10

т

Р

НМ91650В

32

14

л

ос

1,5

800

10

т

Р

НМ9187

22

-

л

л

-

-

-

т

HT9102F

22

-

л

Л1

1,5

800

10

т

Р

НТ9115В

32

14

л

ос

1,5

800

10

т

Р

KS5804

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

KS5805A

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

2U

Р

KS5805B

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

KS58C05

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

KS58006

32

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

т

Р

KS58C20N

22

-

ос

ос

1,5

2,0

830

10

т

Р

KS5851

32

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

KS5853

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

Р

LC7350

22

10

ос

ос

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

LR40981A

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

LR40992

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

LR40993

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

М2561АВ

22

-

л

Л1

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

МС145412Р

22

-

л

Л2

1,5

800

10

т

Р

МК50981

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

MK6092N

22

-

л

л

-

-

-

т

MK50992N

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

МК50993

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р


ТипИС

О-У знаков

Доп. О-У номеров

Тип выхода

Выходные параметры ИК ИС при логическом состоянии входов

M/S

IPS

DRS

MODE

ИК

РК

о

1

0

1

0

1

0

1

MK5173AN

17

-

ОС

ос

2,0

1,5

820

10

Р

S2560A

22

-

Л

Л1

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

S26610

22

10

Л

Л1

2,0

1.5

800

400

10

20

Р

S7210A

22

10

ОС

ос

2,0

1.5

800

10

20

Р

STC52560C

22

10

л

Л2

2,0

1.5

800

10

20

Р

Т40992

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

Т40993

17

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

TC31006P

20

-

л

Л1

2,0

1,5

600

10

20

Р

TR50681AN

17

-

ос

ос

2,0

1,5

820

10

Р

UM91210C

22

-

ос

ос

1,5

2,0

790

10

Т

Р

UM91260C

22

-

ос

ос

1,5

2,0

790

10

Т

Р

UM9151

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

UM9151-3

22

-

ос

лз

1.6

2,0

740

560

10

Р

UM91610A

22

10

л

Л1

2,0

1,5

800

10

20

Р

UM91611

22

10

л

Л2

2,0

1,5

800

10

20

Р

VT91611

22

10

л

Л2

2,0

1,5

800

10

20

Р

VT9145

31

14

л

Л2

2,0

1,5

800

10

Т

Р

W9145

31

14

л

Л2

2,0

1,5

800

10

Т

Р

WE9102

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

WE9104

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

WE9110

22

10

л

Л2

2,0

1,5

800

10

20

Р

WE9192B

17

-

ос

ос

1,5

800

10

Р

КР1002ХЛ2

31

-

л

Л1

1,5

800

10

Р

КР1008ВЖ1

22

-

л

л

1,5

2,0

800

700

10

Р

КР1008ВЖ5

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1008ВЖ6

22

-

л

Л2

2,0

1,5

800

10

т

Р

КР1008ВЖ7

22

-

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1008ВЖ10

32

-

ос

ос

1,5

2,0

800

10

20

Р

КР1008ВЖ11

17

-

ос

ос

1,5

2.0

800

10

20

Р

КС1008ВЖ12

22

-

л

Л2

2,0

1,5

800

400

10

20

Р

КР1008ВЖ14

17

-

ос

ос

1,5

800

10

Р

КР1008ВЖ16

17

-

ос

ос

1,5

800

10

20

Р

КР1008ВЖ16

32

-

ос

ос

1,5

2.0

800

10

т

Р

КР1008ВЖ17

22

-

ос

лз

1,5

2,0

740

560

10

Р

КР1064ВЖ5

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1064ВЖ7

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1083ВЖ-

22

-

л

Л

1,5

2,0

800

700

10

Р

КР1089ВЖ1

22

10

л

Л2

1,5

1,6

700

800

10

20

Р

КР1089ВЖ2

22

-

л

Л

1,5

1,6

700

800

10

Р


Железо / Телефоны / Раздел 3 / Разновидности и характеристики отечественных и зарубежных ИС ЭНН / Характеристики микросхем электронного набора номера